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STMicroelectronics : signe un accord sur la technologie LDMOS d'Innogration

STMicroelectronics : signe un accord sur la technologie LDMOS d'Innogration

(Boursier.com) — STMicroelectronics signe un accord de licence et de coopération portant sur la technologie de puissance RF LDMOS d'Innogration Technologies, société de microélectronique sans usine (fabless) dont le siège social est situé à Suzhou (Chine), et spécialisée dans la conception et la fabrication de composants, modules et sous-ensembles de puissance RF.

Les modalités de cet accord ne sont pas divulguées. On sait néanmoins que cet accord vise à étendre le marché des composants de puissance RF accessible à ST. En effet, l'accord avec Innogration élargit la gamme d'applications que ST peut adresser avec la technologie LDMOS.

Associant un canal de conduction de longueur réduite à une tension de claquage élevée, les composants LDMOS répondent aux exigences d'applications telles que les amplificateurs de puissance RF où ils peuvent être utilisés dans les stations de base pour systèmes de communications sans fil, ainsi que dans les amplificateurs de puissance intégrés à des systèmes industriels et commerciaux.

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