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STMicroelectronics : collaboration R&D

STMicroelectronics : collaboration R&D
STMicroelectronics : collaboration R&D
Crédit photo © STMicroelectronics

(Boursier.com) — L 'Institut de Microélectronique (IME) rattaché à l'Agence singapourienne pour la science, la technologie et la recherche, et STMicroelectronics, annoncent le début d'une collaboration en recherche et développement dans le domaine du carbure de silicium (SiC) pour les applications d'électronique de puissance destinées aux marchés de l'automobile et de l'industriel. Cette collaboration pose les fondations d'un écosystème complet dédié à la technologie SiC à Singapour, et crée des opportunités pour d'autres entreprises souhaitant entreprendre des activités de recherche sur le carbure de silicium avec l'IME et ST.

Les solutions en carbure de silicium (SiC) peuvent surpasser les dispositifs traditionnels en silicium (Si) utilisés dans l'électronique de puissance pour les véhicules électriques et les applications industrielles afin de répondre au besoin en modules de puissance plus compacts, générant une puissance de sortie plus élevée, ou pouvant fonctionner à des températures accrues. Dans le cadre de cette collaboration de recherche, l'Institut de Microélectronique rattaché à l'agence A*STAR et STMicroelectronics ont pour objectif de développer et d'optimiser des composants intégrés en SiC et des modules de puissance (package modules) afin d'accroître de manière significative les performances des circuits d'électronique de puissance de nouvelle génération.

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