(Boursier.com) -- Soitec et son partenaire Sumitomo Electric estiment avoir franchi une "étape majeure" dans leur programme de développement lancé en décembre 2010, avec la démonstration de substrats avancés GaN en quatre et six pouces. Des lignes de production pilotes sont en cours de lancement pour permettre l'adoption de cette technologie à grande échelle sur le marché. "Ces substrats sont obtenus en transférant des couches de GaN ultra-minces de haute qualité à partir d'une seule plaque de GaN pour produire plusieurs substrats avancés. Ils conviennent idéalement à la fabrication de diodes LED avancées haute luminosité pour le marché de l'éclairage et des contrôleurs de forte puissance pour les marchés de l'énergie et des véhicules électriques", expliquent leurs promoteurs. Les lignes prototypes seront déployées au Japon et à Bernin, en France. Le partenariat portait initialement sur des plaques de 2 pouces.
"Sumitomo Electric fabriquera au Japon des substrats en GaN massif qui seront envoyés en France où Soitec appliquera son procédé de transfert de couches Smart Cut afin de fabriquer les plaques avancées finies, dont le coefficient de dilatation thermique est identique à celui des plaques de GaN. Les plaques ainsi obtenues présenteront une faible densité de défauts et un coût inférieur à celui des plaques réalisées en GaN massif et permettront de fabriquer des nouveaux composants semi-conducteurs", selon Soitec.
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